شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک در مقیاس نانومتری بااستفاده از روش حل عددی عناصر مرزی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- نویسنده شمیسه شکری
- استاد راهنما رضا مسعودی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
شبیه سازی عملکرد میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک، با محاسبه ی میدان پراکنده شده از کره ی دی الکتریک نانومتری به روش عددی عناصر مرزی
یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...
15 صفحه اولشبیه سازی عددی جریان سیال در راکتور تخلیه سد دی الکتریک سطحی گاز هلیم
هدف این پژوهش، شبیه سازی عددی پدیدهی پلاسما ناشی از اعمال میدان الکتریکی بر جریان سیال تراکم ناپذیر در راکتور تخلیهی سد دی الکتریک است. برای شبیه سازی این راکتور از روش سیال پلاسما استفاده شده است. گاز هلیم به عنوان گاز پیش زمینه و از پنج جزء و نه واکنش برای شبیه سازی این گاز استفاده شده است. در این شبیه سازی، معادلات بقا برای جزءها و معادلهی پواسون میدان الکتریکی حل شده و نهایتاً با م...
متن کاملتحلیل و شبیه سازی لنز چندلایه ی عرضی دی الکتریک
روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...
متن کاملشبیه سازی عددی میدان نزدیک در مجاورت نانو کاوه های نوری سه بعدی با استفاده از روش عناصر مرزی
توجه روز افزون به علم و فن آوری نانو، مطالعه پدیده های نوری در مقیاس نانو متری را امری اجتناب ناپذیر کرده است. از سوی دیگر، حد پراش به ما اجازه نمی دهد تا نور را در ابعاد تقریباً کوچک تر از نصف طول موج ( 200) متمرکز کنیم. با این حال، در سال های اخیر، روشهای جدیدی برای کوچک کردن حد پراش (میکروسکوپ خودکانونی) و یا حتی غلبه بر آن (میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک) مطرح شده اند. ایده اصلی میکروسکوپ...
15 صفحه اولشبیه سازی عددی و ارائه روش حل برای جریان سیال غیر نیوتنی تحت تاثیر میدان مغناطیسی در لایه مرزی یک صفحه کشسان
جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر می‌کند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پاره‌ای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل و سپس توسط روش عددی ارئه شده بر مبنای تفاضل محدود ، حل گردیده است. اثرات پارامتر‌های سیال، جریان و میدان مغناطیسی بر...
متن کاملشبیه سازی عددی جریان سیال لزج با استفاده از روش المانهای مرزی
به منظور استفاده از روش المانهای مرزی در حل مسایل سیالات, بایستی علاوه بر انفصال روی مرز، تعدادی سلول داخلی برای محاسبه انتگرال‌های ناشی از ترم‌های جابجایی نیز در نظر گرفت. برای این منظور از روش تابع پنالتی که کاربرد زیادی در روش المانهای محدود دارد استفاده شده است. با استفاده از این روش، ترم فشار از معادلات حاکم حذف شده و معادلات به شکل معادلة ناویر در الاستواستاتیک تبدیل می‌شود. این روش از ب...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023